一、闪存

　　Flash Memory，即闪存，是一种EEPROM（电可擦写）芯片。它包含纵横交错的栅格，其中的单元格的每一个交叉点都有两个晶体管。这两个晶体管被一层薄薄的氧化物隔开，分别称为栅极和控制极。栅极通过控制极直线相连。一旦发生连接，单元格的值即为“1”。单元格的值要变为“0”需要经过一个“空穴运动”来改变栅极上电子的位置，此时栅极上通常需要施加10～13V的电压。这些电荷从位线进入栅极和漏极再流向地。这些电荷使得栅极的晶体管象一把电子枪。被激活的电子被推向并聚集在氧化层的另一面，并形成一个负电压。这些带负电的电子将控制极和栅极隔离开。专门的单元格传感器监控通过栅极的电荷的电压大小，如果高于前述电压的50%，则值为“1”；反之则为“0”。一个空白的EEPROM所有门极都是完全打开的，其中每一个单元格的值为“1”。

　　Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的“1”。Flash Memory采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“块”。在设定“块”的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大大领先于传统EEPROM芯片。

  在人们追求大容量和小体积的新时代中，闪存（容量小）和传统硬盘（体积大）均无法满足市场需求。由超小型笔记本和数码相机领域发展过来的微硬盘，顺理成章地拿过了两个老前辈的接力棒。

二、微硬盘

  微硬盘（Microdrive）最早是由IBM公司开发的一款超级迷你硬盘机产品。其最初的容量为340MB和512MB，而现在的产品容量有1GB、2GB以及4GB等。与以前相比，目前的微硬盘降低了转速（4200rpm降为3600rpm），从而降低了功耗，但增强了稳定性。

  微硬盘（Microdrive）最早是由IBM公司开发的一款超级迷你硬盘机产品。其最初的容量为340MB和512MB，而现在的产品容量有1GB、2GB以及4GB等。与以前相比，目前的微硬盘降低了转速（4200rpm降为3600rpm），从而降低了功耗，但增强了稳定性。

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